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问题： MC9S12X128对flash进行读写，为什么报错？
描述:
{
while(FSTAT_CCIF==0);
if(FSTAT_ACCERR) //判断并清除标志位；
FSTAT_ACCERR=1;
if(FSTAT_FPVIOL) //判断并清除标志位；
FSTAT_FPVIOL=1;
FCCOBIX_CCOBIX=0x00;
FCCOB=0x0A40; //写入擦除命令和高位地址(0A是对P-Flash进行Sector擦除的指令)
FCCOBIX_CCOBIX=0x01;
FCCOB=0x0000; //写入低16位的地址
FSTAT_CCIF=1; //启动执行命令
while(FSTAT_CCIF==0); //等待执行完成
}
前面已经设置过flash的分频，将指令换成对D-flash就不会报错，但是只要换成对P-Flash就会报错。ACCSEE位会置1
读P-Flash时也会出现类似的错误
解决方案1:
描述:
求助飞思卡尔flash读写bootloader
void PFlash_Erase(word ADDR16){
while(FSTAT_CCIF==0);
if(FSTAT_ACCERR) //判断并清除标志位；
FSTAT_ACCERR=1;
if(FSTAT_FPVIOL) //判断并清除标志位；
FSTAT_FPVIOL=1;
FCCOBIX_CCOBIX=0x00;
FCCOB=0x0A40; //写入擦除命令和高位地址(0A是对P-Flash进行Sector擦除的指令)
FCCOBIX_CCOBIX=0x01;
FCCOB=0x0000; //写入低16位的地址
FSTAT_CCIF=1; //启动执行命令
while(FSTAT_CCIF==0); //等待执行完成
}
前面已经设置过flash的分频，将指令换成对D-flash就不会报错，但是只要换成对P-Flash就会报错。ACCSEE位会置1
读P-Flash时也会出现类似的错误
解决方案1:
128这块片子几年前智能车比赛比较火，16位机，感觉高不成低不就。
图已经很明确指明了16K的flash size。越界擦写自然会报错