总线接口
作者：汇编爱好者 字体：[增加 减小] 来源：互联网 时间：2017-06-17
汇编爱好者通过本文主要向大家介绍了can总线接口,现场总线接口,统一编址,总线,简述运算器的功能等相关知识,希望对您有所帮助,也希望大家支持linkedu.com www.linkedu.com
LPC2200系列具有开放的外部总线，而LPC2100系列则总线不开放，但是可以通过IO口模拟总线接口。在总线接口上可以挂接多种外部设备，包括：并行SRAM、并行Flash、USB接口、液晶模块、网络接口等设备，这里仅介绍其中部分常用的外部设备。
并行SRAM
——概述
SRAM为静态RAM存储器，具有极高的读写速度，在嵌入式系统中常用来作变量/数据缓冲，或者将程序复制到SRAM上运行，以提高系统的性能。注意，SRAM属于易失性存储器，电源掉电后SRAM中的数据将会丢失，所以不可能直接使用SRAM引导程序运行。
DRAM为动态RAM存储器，具有存储容量大和价格便宜的特点。DRAM是用MOS电路和电容来作存储元件，由于电容会放电，所以需要定时充电以维持存储内容的正确，例如每隔2ms刷新一次数据。
PSRAM（即Pseudo-SRAM）器件是异步SRAM接口技术和利用存储阵列的高密度DRAM技术相结合的产物。实际上，这些器件实现了对主机系统透明地自刷新技术。通过扩展包括刷新操作和读出操作两部分时间在内的读出周期的规定周期时间，使得透明的刷新成为可能。这种方法同样也可用于写入周期。
——SRAM
SRAM器件种类繁多，这里以IS61LV25616AL为例。该芯片是美国ISSI公司的高速SRAM器件，采用CMOS技术，存储容量为512K字节，16位数据宽度，工作电源3.3V。管脚分布如下图所示。 |
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——NOR型与NAND型FLASH的区别
(1) 接口差别
NOR型FLASH采用的是SRAM接口，提供有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其片内的每一个字节；
NAND型FLASH使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。通常是采用8个引脚来传送控制、地址和数据信息。
(2) 读写的基本单位
NOR型FLASH操作是以“字”为基本单位；
NAND型FLASH操作是以“页面”为基本单位，页的大小一般为512字节。
(3) 性能比较
NOR型FLASH的地址线和数据线是分开的，传输效率很高，程序可以在芯片内执行。NOR型的读速度比NAND型稍快一些；
NAND型的写入速度比NOR型快很多(由于NAND型读写的基本单位为“页面”，所以对于小量数据的写入，总体速度要比NOR型慢)；
(4) 容量和成本
NAND型FLASH具有极高的单元密度，容量可以做得比较大，加上其生产过程更为简单，价格也就相应地降低了。
NOR型FLASH占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND型FLASH只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
(5) 软件支持
在NOR型FLASH上运行代码不需要任何的软件支持，而在NAND型FLASH上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序MTD (Memory Technology Drivers)。NAND型和NOR型FLASH在进行写入和擦除操作时都需要MTD(说明，MTD已集成在FLASH芯片内部，它是对FLASH进行操作的接口)。
——NOR型Flash存储器
这里以SST39VF160为例，介绍NOR型FLASH存储器的结构及操作。
SST39VF160是SST公司的CMOS多功能FLASH（MPF）器件，存储容量为2M字节，16位数据宽度(即一个字为2字节)，工作电压为2.7～3.6V。SST39VF160由SST特有的高性能SuperFlash技术制造而成，SuperFlash技术提供了固定的擦除和编程时间，与擦除/编程周期数无关。芯片管脚配置如下图所示。
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NOR型FLASH存储器容量越来越大，为了方便数据管理，将FLASH划分为块(Block)，每个块又分成扇区(Sector)。
SST39VF160的块大小为32K字，扇区大小为2K字。
读操作，可以对任何地址的任何字节进行，不受限制；
写操作，以字形式进行编程。编程前包含字的扇区必须完全擦除；
擦除操作，以扇区(2K)、块(32K)或全片为单位进行擦除。 擦除后数据变为0xFF。
SST39VF160的存储器操作由命令来启动。命令通过标准微处理器写时序写入器件。将WE#拉低、CE#保持低电平来写入命令。地址总线上的地址在WE#或CE#的下降沿（无论哪一个后产生下降沿）被锁存。数据总线上的数据在WE#或CE#的上升沿（无论哪一个先产生上升沿）被锁存。存储器操作命令如下表所示。
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